据悉，目前销售GaN功率器件的主要企业仅有英飞凌、国际整流器(InternationalRectifier，简称IR)、EPC、GaNSystem和Transphorm等少数的几家公司，市场还比较小。法国市场调研公司YoleDéveloppement《GaN与SiC器件电力电子技术与应用》报告显示，2015年GaN功率器件市场收入为1000万美元。然而，采用GaN功率半导体器件产生的潜在能效节约已引起重大的研究和开发，正开始实现可利用器件的商业化。市场调研公司预计从2016年开始GaN功率器件市场将以93%的复合年增长率(CAGR)飙升至2020年的3亿美元。
秉承为显著增长做准备，GaN功率行业正在整合，GaN技术在整个价值链上蔓延。这可以从最近的企业并购中看出来，如英飞凌和国际整流器、Transphorm和富士通(Fujitsu)GaN功率转换业务、英飞凌与松下以及Transphorm与古河电工(Furukawa)的许可协议，Transphorm和富士通等几家公司愿意转向批量生产阶段。
Yole表示，随着GaN功率器件正迅速抢占市场，强有力的知识产权(IP)对公司GaN业务增长至关重要。在当今的GaN市场，理解全球专利前景、帮助公司预见变化和收获业务机会、降低风险和做出战略决策来加强市场地位和实现知识产权组合回报最大化也显得至关重要。
Yole估计GaN功率知识产权包含200多个专利申请者。大多数的硅功率领先企业出现在专利申请者名单的顶部，如国际整流器、英飞凌、松下、古河电工、住友电气(SumitomoElectric)、富士通、三菱电机(MitsubishiElectric)、东芝、夏普、富士电机(FujiElectric)、罗姆(Rohm)和美国电源集成公司(PowerIntegrations)等。Yole指出这体现了功率企业对GaN业务的极大兴趣。目前，只有国际整流器和英飞凌实现了GaN器件的商业化，知识产权意识的加强会导致其他传统的功率企业扰乱和重塑市场，市场研究公司说道。
Transphorm是GaN领域知识产权最重要的挑战者，优先于EPC和GaNSystems等其他初创公司。其专利组合，以及与古河电工、富士通和安森美半导体的合作伙伴关系已更好地促使其成为GaN器件市场龙头企业。古河电工拥有充足的重要组织潜力的知识产权组合，但该公司尚未实现该技术的商业化。通过对Transphorm的GaN专利组合独家特许授权，古河电工找到了将其技术投放市场的战略伙伴。
市场调研公司Yole对1960年以后的专利发明已经按照技术领域进行了手动分类。现有的GaN功率知识产权覆盖整个价值链，如外延片、功率半导体器件、离散组件、功率模块、封装、电路和系统等。专利的数据被整合入各种技术挑战，如E体化、共源共栅、E/D体化单片集成、垂直器件、电流崩塌、动态罗恩(Ron)、栅极电荷、击穿电压、杂散电感、散热问题和芯片级封装等。GaN外延基体类型包括SiC、硅、松厚度和蓝宝石等，重点关注功率半导体(晶体管和二极管半导体层面)以及功率组件(离散组件、功率模块和封装)等。